4008-110044
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專業半導體裝備制造
產品性能：
◆特點：結構緊湊占地面積小，模塊化組合靈活方便
◆工藝：氧化、擴散、退火、LPCVD、PECVD等
◆2～12寸晶圓工藝，5～25片/批
◆占地面積小，水平1～4管/臺
◆200～1300℃，1400℃/2200℃（高溫）
◆手動及自動進舟，局部凈化
配套工藝：
◆擴散：氣態/液態/固態源磷硼擴散
◆氧化：干氧/濕氧（DCE, HCL）（H20/氫氧合成）
◆氮/氫退火及快速退火，燒結、合金等
◆LPCVD:多晶硅,氮化硅、氧化硅（PSG\BPSG，TEOS,LTO\HTO）、SIPOS
◆PECVD:氮化硅、氧化硅等
◆特殊工藝：鋁、鎵擴散，LP POCl3擴散等。
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