4008-110044
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專業半導體裝備制造
產品概述：
設備用于氧化物（氧化鎂、氧化鎵等）、硫化物（硫化鋅等）、砷磷化物（砷化鎵、磷化銦等）等化合物材料快速外延生長沉積，可實現多腔互聯。未來可升級方案HVPE+MOCVD
產品性能：
◆樣品尺寸：4-8英寸
◆控溫精度：0.1C
◆厚度均勻性：≤5%
◆反應腔數量：≥2個,可實現多腔互聯
◆氣體源流量穩定性：≤ ±0.5%
◆工作溫度：200～1200℃/2200℃
◆結構方式：水平/垂直，片數：1/3/6/多片（科研/生產型）
◆多溫區，動態高精度生長條件控制
◆低壓、常壓、微正壓工藝方式，襯底片升降、旋轉（厚膜/晶體生長）
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